تلفن ها و کامپیوتر های هوشمند با نسل جدید تراشه ها کوچک تر می شوند - مجله گذر عمر

به گزارش خبرنگار فناوری خبرنگاران؛ محققان کوچک ترین دستگاه حافظه دار را ایجاد کرده اند، پیشرفتی که ممکن است منجر به تولید تراشه های الکترونیکی سریع تر، کوچک تر و کم مصرف برای دستگاه های الکترونیکی و محاسبات الهام گرفته از مغز شود.

دانشمندان دانشگاه تگزاس در ایالات متحده همچنین فیزیکی را پیدا کردند که قابلیت ذخیره سازی حافظه متراکم برای این دستگاه های کوچک را ایجاد می کند.

در تحقیق جدید منتشر شده، دانشمندان اندازه نازک ترین دستگاه ذخیره سازی حافظه را کاهش داده و سطح مقطع آن را به اندازه یک نانومترمربع کوچک کردند. به گفته محققان، دستیابی به فیزیکی که قابلیت ذخیره سازی حافظه متراکم در این دستگاه ها را فراهم می کند، آن ها را قادر می سازد تا اندازه دستگاه را بسیار کوچک تر کنند. آن ها بیان کردند که منافذ فوق کوچک در این ماده کلید اصلی برای رسیدن به قابلیت ذخیره سازی متراکم است.

دجی آکینونده، یکی از نویسندگان این تحقیق، توضیح داد: وقتی یک اتم اضافی فلزی وارد منافذ نانویی شود و آن را پر کند، مقداری از رسانایی آن به مواد منتقل می شود و این منجر به تغییر یا همان اثر حافظه می شود.

اگرچه آن ها از ترکیب دی سولفیدمولیبدن بعنوان ماده نانویی اولیه در مطالعات خود استفاده کرده اند، اما معتقدند که این کشف می تواند برای صد ها ماده نازک اتمی مرتبط نیز اعمال شود.

دانشمندان بیان کردند که پرازنده کوچک، تولیدکنندگان را قادر می سازد تا تلفن ها و کامپیوتر های کم حجم بیشتری بسازند و کوچک کردن تراشه نیز در عین افزایش ظرفیت، نیاز به انرژی را کاهش می دهد. این به معنای دستگاه های سریع تر و هوشمندتر است که برای کارکرد انرژی کمتری مصرف می کنند.

دستگاه قبلی که در زمان خود باریک ترین دستگاه ذخیره سازی حافظه دار بود، تنها یک لایه اتمی ضخامت داشت. با این حال، کوچک کردن دستگاه حافظه به معنی نازک تر کردن آن نیست، بلکه باید در سطح مقطع کوچکتری نیز ساخته شود.

دستگاه جدید شامل دسته ممریستورهاست، ناحیه ای از حافظه که در اطراف اجزای الکتریکی قرار گرفته و می تواند مقاومت بین دو پایانه را بدون نیاز به پایانه سوم در بخش میانی، اصلاح کند. به گفته محققان، این دستگاه ها می توانند کوچکتر از دستگاه های حافظه ای باشند که حال حاضر استفاده می شوند و دارای ظرفیت ذخیره سازی بیشتری هستند.

آن ها گفتند که ممریستور جدید ظرفیت حدود 25 ترابیت در سانتی مترمربع را محقق خواهد کرد که در حدود 100 برابر بیشتر از تراکم حافظه در هر لایه، در مقایسه با دستگاه های حافظه فلش تجاری است.